New York, 23. Dezember 2020 (GLOBE NEWSWIRE) - Reportlinker.com gibt die Veröffentlichung des Berichts „Bericht über die Marktgröße, den Anteil und die Trends von hochreinem Siliziumkarbid nach Anwendung, Region und Segmentprognose, 2020 - 2027“ bekannt.
Die weltweite Marktgröße für ultrahochreines Siliziumkarbid wird voraussichtlich bis 2027 79,0 Mio. USD erreichen. Von 2020 bis 2027 wird ein Wachstum von 14,8% erwartet. Die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen und das Wachstum des Sektors für erneuerbare Energien sind projiziert, um Marktanbietern Wachstumschancen zu bieten.
Stromversorgungen und Photovoltaik-Wechselrichter gehören zu den wesentlichen Anwendungsbereichen von Siliziumkarbid (SiC) -Halbleitern. Darüber hinaus wird die SiC-Leistungselektronik in Ladeprodukten für Elektrofahrzeuge, in der Windenergieinfrastruktur und in industriellen Motorantrieben eingesetzt.
Daher wird erwartet, dass die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen das Wachstum von hochreinen Siliziumkarbid-Halbleitern ankurbeln wird. Die zunehmende Nutzung erneuerbarer Energiequellen zur Stromerzeugung auf der ganzen Welt wird voraussichtlich den Markt für SiC-Leistungshalbleiter antreiben.
Die Entwicklung neuer Technologien wie Quantencomputer, künstliche Intelligenz und 5G-Technologie wird voraussichtlich auch Marktanbietern neue Möglichkeiten bieten. Die zunehmende Verbreitung dieser Technologien, insbesondere in den USA, dürfte ein Schlüsselfaktor bleiben, der zum Marktwachstum beiträgt. Unternehmen in den USA haben große Summen in diese Technologien investiert, was sich positiv auf die Entwicklung von Halbleitern auswirkt, die für künstliche Intelligenz, Supercomputer und Rechenzentren erforderlich sind. So haben die F & E-Investitionen in der US-Halbleiterindustrie von 1999 bis 2019 mit einem CAGR von 6,6% zugenommen. In den USA beliefen sich die F & E-Investitionen für 2019 auf 39,8 Mrd. USD, was rund 17% des Umsatzes entspricht. Dies ist der höchste Wert unter allen die Länder.
Die steigende Nachfrage nach Leuchtdioden (LEDs) ist ein weiterer Schlüsselfaktor für das Marktwachstum in den kommenden Jahren. Ultrahochreines Siliziumkarbid wird verwendet, um die Verunreinigungen in LEDs zu entfernen.
Der LED-Beleuchtungsmarkt wird voraussichtlich von 2020 bis 2027 eine Wachstumsrate von 13,4% verzeichnen, was auf den Preisverfall, strenge Vorschriften in Bezug auf Beleuchtungstechnologien und die Bemühungen verschiedener Regierungen zur nachhaltigen Entwicklung zurückzuführen ist.
Unternehmen in Südkorea sind an der Entwicklung der Siliziumkarbidtechnologie beteiligt, die voraussichtlich langfristig ein Schlüsselfaktor bleiben wird. So investierte POSCO, einer der weltweit führenden Stahlhersteller, 10 Jahre in die Entwicklung von SiC-Einkristall.
In diesem Projekt arbeitet POSCO an der Entwicklung einer 150-mm- und 100-mm-SiC-Substrattechnologie, die kurz vor der Kommerzialisierung steht. Ein anderer Hersteller, die SK Corporation (SKC), wird wahrscheinlich 150-mm-SiC-Wafer auf den Markt bringen.
Highlights des Marktberichts über hochreines Siliziumkarbid
• Halbleiter war sowohl gemessen am Umsatz als auch am Volumen das größte Anwendungssegment im Jahr 2019. Das Wachstum des Segments ist auf die steigenden Anforderungen der wachsenden Mittelschicht und damit auf die indirekte Nachfrage nach Elektronik zurückzuführen
• Je nach Anwendung wird erwartet, dass LEDs von 2020 bis 2027 mit 15,6% Umsatz am schnellsten wachsen. Das zunehmende Bewusstsein für die globale Erwärmung hat sich aufgrund ihrer Energieeffizienz positiv auf die Nachfrage nach LEDs ausgewirkt
• Die COVID-19-Pandemie hat die Endverbrauchsindustrie von ultrahochreinem Siliziumkarbid (UHPSiC) stark beeinträchtigt. In Bezug auf das Volumen wird die Nachfrage nach UHPSiC ab 2019 voraussichtlich um fast 10% im Jahr 2020 zurückgehen
• Der asiatisch-pazifische Raum war der größte regionale Markt und hatte 2019 einen Volumenanteil von 48,0%. Die Massenproduktion von Elektronik und LEDs in China, Südkorea und Taiwan ist ein wichtiger Wachstumsfaktor für den regionalen Markt
Beitragszeit: 06.01.2013